[发明专利]Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez,Ag0.1光存储发光材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710151095.7 | 申请日： | 2007-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101186822A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李岚;张晓松;李江勇;张艳芳;董冬青;庄晋燕 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/85 | 分类号： | C09K11/85 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 廖晓荣 |
| 地址： | 300191*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、银离子共激活的Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez，Ag0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性，增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | ba sub mgligam fbr re ag 0.1 存储 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ba1-xMgLiGaMxFBr1-ySy:Rez，Ag0.1光存储发光材料，其特征在于所说的原料选用纯度为分析纯，包括BaCO3，MgCO3，LiCO3，Ga2O3，AgNO3，NH4F，NH4Br，硫粉，稀土离子Re的来源，是由其氧化物，卤化物，硝酸盐或硫酸盐其中之一所提供的；所掺入四价金属离子M的来源，是由其氧化物，卤化物或碳酸盐其中之一所提供的，溶剂为水或乙醇，表面包覆材料为甲基丙烯酸甲脂；其化学表达式为：Ba1-xMgLiGaMxFBr1-ySy:Rez，Ag0.1 其中，M为Si，Ge，Pb，Ti中的一种元素；Re为稀土离子：La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb或Lu中的一种；x，y，z的取值范围为：0.0001＜x≤0.7，0.0001＜y≤0.7；0.0001＜z≤1。
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