[发明专利]闪速存储器件及其擦除方法在审
| 申请号： | 200710151719.5 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154454A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王钟铉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李德山;杨生平 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及闪速存储器件及其擦除方法。该擦除方法包括：针对包括一组页的存储单元块执行擦除操作；执行擦除验证操作并存储关于包括没有被正常擦除的未擦除存储单元的页的未擦除页信息；以及基于未擦除页信息，执行包括未擦除存储单元的页的另外的擦除操作。当未擦除单元存在时，擦除验证操作和另外的擦除操作被重复执行。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪速存储器的擦除方法，该方法包括：对包括多个页的存储单元块执行擦除操作；执行擦除验证操作，并存储关于包括没有被正常擦除的未擦除存储单元的页的未擦除页信息；以及基于未擦除页信息，对包括未擦除存储单元的页执行另外的擦除操作，其中当存在未擦除存储单元时，所述擦除验证操作和所述另外的擦除操作被重复地执行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710151719.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
