[发明专利]读取存储器阵列的方法有效
| 申请号： | 200710152904.6 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101236787A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周铭宏;熊福嘉 | 申请（专利权）人： | 擎泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 读取方法包含开启该列选择栅极；预先程式化一第一右浮置栅极使其临界电压为一高电压与预先程式化一第一左浮置栅极使其临界电压为一低电压；将该右数据线的电压充电至一第一预定值；将该第一字线充电至一第二预定值，该第二预定值介于该第一右浮置栅极的高临界电压与该第一左浮置栅极的低临界电压之间；将一耦接于一第二右浮置栅极的第二字线充电至一第三预定值；及比较该左数据线的电流与一第四预定值的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 存储器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种读取存储器阵列的方法，该存储器阵列包含右数据线、左数据线、列栅极共同耦接的选择栅极、多个右浮置栅极，其中每个右浮置栅极耦接于对应的选择栅极与该右数据线之间，以及多个左浮置栅极，其中每个左浮置栅极耦接于对应的选择栅极与该左数据线之间，该方法包含：开启该列选择栅极；预先程式化第一右浮置栅极使其临界电压为高电压与预先程式化第一左浮置栅极使其临界电压为低电压；其中该第一左浮置栅极与该第一右浮置栅极耦接于相同的第一字线；将该右数据线的电压充电至第一预定值；将该第一字线充电至第二预定值，该第二预定值介于该第一右浮置栅极的高临界电压与该第一左浮置栅极的低临界电压之间；将耦接于第二右浮置栅极的第二字线充电至第三预定值；及比较该左数据线的电流与第四预定值的差异。
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