[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置无效
申请号: | 200710153263.6 | 申请日: | 2007-09-29 |
公开(公告)号: | CN101154563A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 荒木浩之;林豊秀 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/67;B08B3/00;G02F1/1333;H01J9/00;G03F1/00;G11B7/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置,由于基板的表面上存在各种形状的孔洞,因而在冲洗处理时向基板上供给纯水后,纯水的一部分会浸入孔洞内。即使使基板高速旋转也很难将浸入孔洞内的纯水甩出来。因此,在冲洗处理之后,将HFE布满基板而形成HFE层。这种情况下,由于纯水和HFE的比重有差异,HFE会浸入孔洞内,而纯水会从孔洞内浮出到HFE层的上面。这样就切实地防止了纯水残留在孔洞内。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,包括:冲洗液供给工序,向基板的一个面上供给冲洗液;涂液工序,在上述冲洗液供给工序之后将氢氟醚布满基板的上述一个面;清除工序,清除布满基板的上述一个面上的氢氟醚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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