[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710153708.0 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101145581A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 山本英雄;小林研也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有掩埋在沟槽中的栅电极的改进的半导体器件，其使得难以在栅电极的末端处在栅电极和源电极之间产生短路。沟槽形成在半导体衬底中。栅电极和掩埋绝缘膜掩埋在沟槽中。通过掩埋绝缘膜将源电极设置在栅电极之上。在栅电极的末端处，层间绝缘膜以该层间绝缘膜跨越沟槽的末端的方式设置在掩埋绝缘膜和源电极之间。掩埋绝缘膜和层间绝缘膜两者均起着绝缘膜的作用并且防止在栅电极的末端处短路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：沟槽，其形成在半导体衬底中；栅电极，其掩埋在所述沟槽中；源电极，其设置在所述栅电极之上；以及绝缘膜，其以所述绝缘膜跨越所述沟槽的末端的方式，设置在所述栅电极和所述源电极之间，并且所述绝缘膜的一部分掩埋在所述沟槽中。
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