[发明专利]一种利用沸石层调控大孔载体制备钯－沸石复合膜的方法无效
| 申请号： | 200710159082.4 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101274223A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张雄福;郭宇;邹红叶;邱芳锐;刘海鸥;鲁金明;王金渠 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D69/12 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用沸石层调控大孔载体制备钯－沸石复合膜的方法，属于无机膜制备技术领域。其特征是发明针对大孔载体存在的孔径大和表面粗糙、不平整等缺陷而影响制膜质量问题，以及传统化学镀采用反复敏化－活化带来的弊端，通过沸石生长调控载体形成具有沸石层的载体或具有含钯晶种沸石层的载体，再利用化学镀获得致密钯膜。本发明的有益效果是针对不同的载体，通过调控沸石生长形成不同结构和孔径的沸石层，可有效改善载体的表面，并引入钯晶种。本发明制备的钯膜薄而致密性好；与载体结合牢固，不易脱落；工艺简单、成本低、实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 沸石层 调控 载体 制备 复合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用沸石层调控大孔载体制备钯-沸石复合膜的方法，其特征在于利用沸石生长形成沸石层修饰大孔载体的孔径和表面，获得含沸石层的载体；或引入钯晶种，获得含钯晶种沸石层的载体，然后利用化学镀原理在含沸石层的载体或含钯晶种沸石层的载体上制备钯-沸石复合膜。
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