[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括提供具有数组区及周边区的基底，数组区包括多个第一栅极堆栈，周边区包括低电压组件第二栅极堆栈及高电压组件第三栅极堆栈，形成第一介电层于基底上，沉积第二介电层于第一介电层，移除部分第二介电层而仅留第三栅极堆栈上的第二介电层，再次沉积第二介电层于基底上，回蚀刻第二介电层以露出第一介电层，移除数组区的第二介电层以露出第一介电层，以及回蚀刻第一介电层以露出各栅极堆栈上表面，而于各栅极堆栈侧壁分别形成第一间隙壁、第二间隙壁、及第三间隙壁，第三间隙壁厚度最大而第一间隙壁厚度最小。本发明的方法可于半导体结构中的不同组件周边，形成不同厚度的间隙壁。

主权项

1. 一种半导体结构的形成方法，该方法包括以下步骤：提供一基底，该基底包括一数组区及一周边区，且该数组区中包括多个第一栅极堆栈，而该周边区中包括一低电压组件的第二栅极堆栈及一高电压组件的第三栅极堆栈；形成一第一介电层覆盖于所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈的上方及侧壁；沉积一第二介电层于该第一介电层上；移除位于所述第一栅极堆栈及该第二栅极堆栈上的该第二介电层，而留下该第三栅极堆栈上的该第二介电层；再次沉积该第二介电层于所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈上；回蚀刻该第二介电层，以露出该第一介电层；移除该数组区中的该第二介电层以露出该第一介电层；以及回蚀刻该第一介电层以露出所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈的上表面，而于所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈的侧壁分别形成一第一间隙壁、一第二间隙壁、及一第三间隙壁；其中该第三间隙壁的厚度大于该第二间隙壁，而该第二间隙壁的厚度大于该第一间隙壁。