[发明专利]基底可被重复使用的结构及其处理方法无效
| 申请号： | 200710160989.2 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465271A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 苏住裕;陈宏任 | 申请（专利权）人： | 苏住裕;陈宏任 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;李友佳 |
| 地址： | 台湾省台南县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基底可被重复使用的结构及其处理方法。在基底与至少一层外延层之间形成至少一层分离层。使用本发明的方法，提供一种分离方式使对应的分离层发生反应而分解，以使基底与外延层中的一层分离，从而达到基底可重复使用的目的，因而能降低成本，也避免造成多余的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 重复使用 结构 及其 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基底可被重复使用的结构，所述结构包括：基底；至少一层外延层，在所述基底上结晶成长，在所述外延层上形成有至少一个图案；至少一层分离层，置于所述基底与所述外延层之间，且提供一种分离方式以使所述分离层发生反应而分解，使得所述基底与所述外延层分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏住裕;陈宏任，未经苏住裕;陈宏任许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710160989.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双极化辐射单元及其平面振子
- 下一篇：高性能铋系高温超导带材及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
