[发明专利]掩膜及其制法、掩膜制造装置、发光材料的成膜方法无效

专利信息
申请号: 200710162687.9 申请日: 2004-03-04
公开(公告)号: CN101158025A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 中楯真 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;B05D7/24;B05D3/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种掩膜及其制造方法、制造装置、发光材料的成膜方法、电光学装置及电子仪器。本发明的掩膜:具备形成了开口的基体材料;形成有多个贯通孔,同时对应于上述开口而与上述基体材料接合的掩膜构件;和以所定间隔保持上述基体材料与上述掩膜构件的隔离子。
搜索关键词: 及其 制法 制造 装置 发光 材料 方法
【主权项】:
1.一种掩膜的制造方法,其中,具有:准备已形成开口的基体材料和在遮光材料上形成了多个贯通孔的掩膜构件的工序;在上述基体材料或上述掩膜构件上涂敷光固化性粘接剂的工序;对应于上述开口,使上述掩膜构件与上述基体材料接合的工序;使上述基体材料与上述掩膜构件密接,使上述光固化性粘接剂自上述基体材料与上述掩膜构件的接合区域漏出的工序;从上述掩膜构件侧照射光,使上述光固化性粘接剂的一部分固化的工序;和从上述基体材料侧至少通过上述开口照射光,使上述光固化性粘接剂固化的工序。
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