[发明专利]液晶显示器的阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200710162861.X | 申请日： | 2007-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101140912A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈昱丞;李振岳 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种液晶显示器的阵列基板的制造方法。在形成有半导体层及电容下电极的基板上覆盖一第一介电层，以作为栅极介电层及电容介电层。在第一介电层上分别形成一栅极电极及包括一透明电极部及一金属电极部的一电容上电极。在栅极电极及电容上电极上覆盖一第二介电层。在第二介电层上依序形成一源极/漏极电极、一平坦层、及一像素电极，其中源极/漏极电极穿过第一及第二介电层而与半导体层电性连接，而像素电极穿过平坦层而与源极/漏极电极电性连接。本发明也揭示一种液晶显示器的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，其具有一晶体管区及一储存电容区；分别在该基板的该晶体管区上及该储存电容区上形成一半导体层及一透明下电极；在该半导体层及该透明下电极上覆盖一第一介电层，以作为该晶体管区的一栅极介电层及该储存电容区的一电容介电层；分别在该晶体管区及该储存电容区的该第一介电层上形成一栅极电极及一上电极，其中该上电极包括一透明电极部及一金属电极部；在该第一介电层上形成一第二介电层并覆盖该栅极电极及该上电极；在该晶体管区的该第二介电层上形成一源极/漏极电极，并穿过该第一及该第二介电层而与该半导体层电性连接；在该第二介电层上形成一平坦层；以及在该平坦层上形成一像素电极，并穿过该平坦层而与该源极/漏极电极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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