[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种降低硅之中的应力以助于在硅上方形成硅化镍的方法。该方法包括：应力补偿的源/漏区离子布植制程、于非晶硅层上形成一硅化物的制程、应力补偿的深埋层制程、于硅化物形成期间进行的应力补偿的介电覆盖层制程、于硅化物形成期间进行的两次退火制程、以及将二硅化镍转换成硅化镍的制程。本发明所述半导体元件及其制造方法，可降低硅之中的应力，进而有助于在硅上方形成硅化镍。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，所述半导体元件的制造方法包括下列步骤：提供一基板；在该基板的含硅区域掺杂一第一掺杂物，而该第一掺杂物在该含硅区域产生应力；在该含硅区域掺杂一第二掺杂物，以降低该第一掺杂物在该含硅区域产生的应力，其中具有该第一掺杂物与该第二掺杂物的该含硅区域包括一源/漏区；以及形成一硅化镍膜于该源/漏区上其中该第一掺杂物的掺杂步骤是达到一特定的活化载体层浓度，且当该活化载体层浓度维持在一特定值时，位于该源/漏区的该第二掺杂物降低该含硅区域的应力。