[发明专利]半导体集成器件和该半导体集成器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710164373.2 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101174649A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 于尔根·福尔 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种集成的半导体器件包括至少一个晶体管、至少一个接触结构和衬底，该衬底包括平坦衬底表面和设置在平坦衬底表面下方的衬底中的掺杂阱，该掺杂阱包括第一掺杂剂类型的掺杂剂，该掺杂剂类型是p掺杂剂类型和n掺杂剂类型中的一种，该晶体管包括：在掺杂阱和沟道区域中设置的第一和第二源/漏扩散区域；在衬底上设置的栅极介电部；在衬底表面上方和栅极介电部上方突出的栅电极结构，该栅电极结构包括栅电极和包括侧向侧壁的栅电极隔离部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成器件，其包括至少一个晶体管、至少一个接触结构、以及衬底，所述衬底包括平坦的衬底表面以及设置在所述平坦的衬底表面下方的所述衬底中的掺杂阱，所述掺杂阱包括p掺杂剂类型和n掺杂剂类型之一的第一掺杂剂类型的掺杂剂，所述晶体管包括：第一源/漏扩散区域和第二源/漏扩散区域，设置在所述掺杂阱和沟道区域中，栅极介电部，设置在所述衬底上，栅电极结构，在所述衬底表面上方和所述栅极介电部上方突出，所述栅电极结构包括栅电极和包括侧向侧壁的栅电极隔离部；其中，在所述衬底表面上或所述衬底表面上方设置所述接触结构，并且所述接触结构邻接所述栅电极隔离部的所述侧向侧壁以及与所述第一源/漏扩散区域电接触，其中，所述第一源/漏扩散区域包括重掺杂的主掺杂剂注入区域和另一掺杂剂注入区域，两者均由第二掺杂剂类型而不是所述第一掺杂剂类型的掺杂剂形成，并且空间上彼此重叠，以及其中，所述另一掺杂剂注入区域延伸到所述衬底表面下方比所述主掺杂剂注入区域深的所述衬底中。
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