[发明专利]用于集成半导体结构的制造方法无效
| 申请号： | 200710165127.9 | 申请日： | 2007-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101170080A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 帝尔·施洛瑟 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于集成半导体结构和相应半导体结构的制造方法。该方法包括以下步骤：在外围器件区域中形成外围电路，所述外围电路包括外围晶体管，所述外围晶体管至少部分地形成在所述半导体基板上并具有在第一高温处理步骤中形成的第一栅极绝缘体；在存储单元区域中形成多个存储单元，每个所述存储单元包括存取晶体管，所述存取晶体管至少部分地形成在半导体基板上并具有第二栅极绝缘体，所述第二栅极绝缘体在第二高温处理步骤中形成并具有金属栅极导体；其中，所述第一和第二高温处理步骤在形成所述金属栅极导体的步骤之前进行。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于集成半导体结构的制造方法，包括以下步骤：在外围器件区域中形成外围电路，所述外围电路包括外围晶体管，所述外围晶体管至少部分地形成在所述半导体基板上并具有在第一高温处理步骤中形成的第一栅极绝缘体；在存储单元区域中形成多个存储单元，每个所述存储单元包括存取晶体管，所述存取晶体管至少部分地形成在半导体基板中并具有第二栅极绝缘体，所述第二栅极绝缘体在第二高温处理步骤中形成并具有金属栅极导体；其中，所述第一和第二高温处理步骤在形成所述金属栅极导体的步骤之前执行；其中，在所述存储单元区域中形成栅极绝缘体之前形成所述外围部分中的栅极绝缘体，以及在所述存储单元区域中形成导电栅极材料之前形成所述外围部分中的所述栅极绝缘体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
