[发明专利]半导体器件和存储器有效
| 申请号： | 200710165894.X | 申请日： | 2007-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101178928A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 广部厚纪 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/4091 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件和存储器。本发明的半导体器件包括第一降压电路，用于生成低于外部提供的电源电压的第一下降电压；以及第二降压电路，用于生成低于所述第一下降电压的第二下降电压。所述第一降压电路的耐受电压不低于所述电源电压，并且所述第二降压电路的耐受电压不低于所述第一下降电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一降压电路，用于生成低于电源电压的第一下降电压；以及第二降压电路，用于生成低于所述第一下降电压的第二下降电压，其中所述第一降压电路的耐受电压等于或高于所述电源电压，其中所述第二降压电路的耐受电压等于或高于所述第一下降电压。
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