[发明专利]一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200710165923.2 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101325216A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈建良;杨文志;李启弘;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体组件及装置，利用一接触蚀刻终止层在，例如是一互补式金属氧化物半导体沟道区产生应变，用来产生应变的接触蚀刻终止层，以一非连续的形式形成在组件的栅极结构上，且其在n沟道组件上产生拉应力，在p沟道组件上产生压应力。举例来说，先沉积出合适的接触蚀刻终止层，然后形成一内层介电层，再同时降低内层介电层和接触蚀刻终止层到一预定高度。较佳地，栅极电极或如其上方存在的金属接触区曝露于此。接触蚀刻终止层的上边界可进一步降低，使其低于栅极电极的上边界。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 组件 金属 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种半导体组件，其特征在于，包含：一栅极电极，由一介电层与一半导体基板绝缘；一源极区与一漏极区，形成在该基板上，并定义出该栅极电极下方的一沟道区；一不连续的应力诱导层，在该源极区与该漏极区上形成。
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