[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构包括位于隔离衬底之上的半导体台面。所述半导体台面包括通过在其间插入的隔离区域与包括第二掺杂区域的第二端相分隔的包括第一掺杂区域的第一端。所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域具有不同的极性。所述半导体结构还包括位于所述第二掺杂区域之上的所述半导体台面的水平顶表面之上沟道停止介质层。所述半导体结构还包括使用所述第一端的侧壁表面和顶表面作为第一沟道区域定位的第一器件，以及使用所述第二端的侧壁而不是顶表面作为第二沟道区域定位的第二器件。一种源自前述半导体结构的相关的方法。还包括一种包括所述半导体结构的半导体电路。

主权项

1.一种半导体结构包括：隔离衬底，具有位于其上的半导体台面，所述半导体台面包括通过在其间插入的隔离区域与包括不同于第一掺杂区域的第二掺杂区域的第二端相分隔的包括所述第一掺杂区域的第一端；第一器件，使用所述第一端的侧壁表面和顶表面作为第一沟道区域定位；以及第二器件，使用所述第二端的侧壁表面而不是顶表面作为第二沟道区域定位，其中所述第一器件从所述半导体台面的水平顶表面晶向获益以及所述第二器件从所述半导体台面的垂直侧壁表面晶向获益。