[发明专利]增强空穴迁移率的器件和方法

摘要

提供一种半导体器件，其包括在第一硅层之上的氧化物层和在该氧化物层之上的第二硅层，其中该氧化物层在第一硅层与第二硅层之间。第一硅层和第二硅层包括相同的晶体取向。该器件还包括在第一硅层上的渐变锗层，其中该渐变锗层接触隔离物和第一硅层而不接触氧化物层。渐变锗层的下部包括比渐变锗层的上部更高的锗浓度，其中渐变锗层的顶表面不含锗。

主权项

1.一种半导体器件，包括：在第一硅层之上的氧化物层；在所述氧化物层之上的第二硅层，其中所述氧化物层在所述第一硅层与所述第二硅层之间；在所述第一硅层上的隔离物，其中所述隔离物接触所述氧化物层、所述第一硅层和所述第二硅层；在所述第一硅层上的渐变锗层，其中所述渐变锗层接触所述隔离物和所述第一硅层，以及其中所述渐变锗层的下部包括比所述渐变锗层的上部更高的锗浓度；在所述第二硅层之上的n型场效应晶体管；以及在所述渐变锗层之上的p型场效应晶体管，其中所述氧化物层仅在所述n型场效应晶体管之下而不在所述p型场效应晶体管之下。