[发明专利]带源极和漏极绝缘区域的单晶体管存储装置及其制造方法

摘要

一种单晶体管浮体动态随机存取存储器(DRAM)装置，包括设置在半导体基板上的浮体和设置在浮体上的栅极电极，浮体包括过量载流子存储区域。DRAM装置还包括分别设置在栅极电极两侧的源极和漏极区域，以及设置在浮体与源极和漏极区域之间的泄漏屏蔽图案。每个源极和漏极区域都接触浮体，浮体可以设置在源极和漏极区域之间。浮体还可以在泄漏屏蔽图案下横向延伸，该泄漏屏蔽图案可以设置在栅极电极的外侧。

主权项

1.一种单晶体管浮体动态随机存取存储器装置，包括：浮体，设置在半导体基板上，该浮体包括过量载流子存储区域；栅极电极，设置在所述浮体上；源极和漏极区域，分别设置在所述栅极电极的两侧，每个所述源极和漏极区域都接触所述浮体；和泄漏屏蔽图案，设置在所述浮体与所述源极和漏极区域之间。