[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710167819.7 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101170097A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 川原尚由 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。当金属罩薄膜设置于电熔丝上时，降低了电熔丝的断开能力。半导体器件1包括互连10、电熔丝20和金属罩薄膜30。互连10和电熔丝20都由Cu构成。互连10和电熔丝20设置于互连层40中的同一层内。金属罩薄膜30仅设置于互连10上，而不设置于电熔丝20上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：互连，由铜构成并且设置于互连层中；电熔丝，由铜构成并且设置于所述互连层中，所述电熔丝和所述互连设置于所述互连层中的同一层内；以及金属罩薄膜，仅设置于所述互连上，而不设置于所述电熔丝上。
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