[发明专利]二元光学元件掩模的制作方法无效

专利信息
申请号: 200710170463.2 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101158806A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 王多书;叶自煜;刘宏开;罗崇泰;陈焘;李锦磊 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
主分类号: G03F1/08 分类号: G03F1/08;G03F1/00
代理公司: 上海蓝迪专利事务所 代理人: 徐筱梅
地址: 73003*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种二元光学元件掩模的制备方法,它采用激光直写法制作,制作过程是:先在双面抛光的石英玻璃基片上镀铬膜,形成铬版;将掩模的设计数据转换成激光直写设备控制程序,用该程序控制激光直写设备对铬版进行激光定位定量加热氧化,然后对经激光加热氧化后的铬版进行腐蚀,腐蚀后,铬版经激光加热氧化部位形成氧化铬,未经激光加热氧化部位在腐蚀溶液中被溶解,形成铬版掩模。本发明具有设备简单、制作周期短、费用较低、制作精度高的特点,是目前国内外制作光学元件掩模的理想方法。
搜索关键词: 二元 光学 元件 制作方法
【主权项】:
1.一种二元光学元件掩模的制作方法,其特征在于它包括下列步骤:a、铬版制作选用石英玻璃作基板,对其表面镀铬膜,形成铬版;b、激光加热氧化按掩模设计数据编制加热氧化程序,用此程序控制激光直写设备,对铬版实现激光定位定量加热氧化;c、化学腐蚀采用K3Fe(CN)6/NaOH混合溶液对激光加热氧化后的铬版进行腐蚀,形成掩模。
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