[发明专利]二元光学元件掩模的制作方法无效
申请号: | 200710170463.2 | 申请日: | 2007-11-15 |
公开(公告)号: | CN101158806A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 王多书;叶自煜;刘宏开;罗崇泰;陈焘;李锦磊 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F1/00 |
代理公司: | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人: | 徐筱梅 |
地址: | 73003*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种二元光学元件掩模的制备方法,它采用激光直写法制作,制作过程是:先在双面抛光的石英玻璃基片上镀铬膜,形成铬版;将掩模的设计数据转换成激光直写设备控制程序,用该程序控制激光直写设备对铬版进行激光定位定量加热氧化,然后对经激光加热氧化后的铬版进行腐蚀,腐蚀后,铬版经激光加热氧化部位形成氧化铬,未经激光加热氧化部位在腐蚀溶液中被溶解,形成铬版掩模。本发明具有设备简单、制作周期短、费用较低、制作精度高的特点,是目前国内外制作光学元件掩模的理想方法。 | ||
搜索关键词: | 二元 光学 元件 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种二元光学元件掩模的制作方法,其特征在于它包括下列步骤:a、铬版制作选用石英玻璃作基板,对其表面镀铬膜,形成铬版;b、激光加热氧化按掩模设计数据编制加热氧化程序,用此程序控制激光直写设备,对铬版实现激光定位定量加热氧化;c、化学腐蚀采用K3Fe(CN)6/NaOH混合溶液对激光加热氧化后的铬版进行腐蚀,形成掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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