[发明专利]多端口、多沟道的嵌入式动态随机存储器及其操作方法有效
申请号: | 200710170781.9 | 申请日: | 2007-11-22 |
公开(公告)号: | CN101221953A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 林殷茵;陈邦明;张佶 | 申请(专利权)人: | 林殷茵;陈邦明;张佶 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L27/12;G11C11/401;G11C11/406;G11C11/409 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种多端口、多沟道的嵌入式动态随机存储器及其存储操作方法。该存储器包括数个存储单元;每个存储单元有n个晶体管(n为自然数,n≥2);每个晶体管有1对字线位线对;每个晶体管的位线可以与一个输入/输出端口相连;存储单元中的不同晶体管位于同一浮体中,浮体与周围电隔离;不同晶体管的字线位线对彼此独立,可以同时或分时被选中,进而同时或分时选中相应的不同晶体管,通过相应的端口可以同时或分时进行读取和刷新的存储操作。刷新操作和读操作相互独立,可以提高嵌入式动态随机存储器读操作的速度以及通过调整刷新操作的频率满足不同的功耗需求。 | ||
搜索关键词: | 多端 沟道 嵌入式 动态 随机 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种多端口、多沟道的嵌入式动态随机存储器,包括数个存储单元;每个存储单元有n个晶体管,n为自然数,n≥2,每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区,相邻晶体管间的源区和漏区相互连接或者共享,每个晶体管导通时,该晶体管的源和漏间形成导电沟道;每个晶体管有1对字线位线对,即1条字线和1条字线;每个晶体管的位线可以与一个输入/输出端口相连;存储单元中的不同晶体管位于同一浮体中,浮体与周围电隔离;通过至少一个端口向所述的浮体中注入载流子或抽取载流子,调节晶体管的阈值电压,达到写入信号的目的;通过一个端口读出或通过多个端口同时读出晶体管源漏间的电流,通过分辨电流的大小,达到读出信号的目的,大电流代表第一数据状态1,小电流代表第2数据状态0;通过至少一个端口定期将存储单元中原有信号写回去,达到刷新信号的目的;不同晶体管的字线位线对彼此独立,可以同时或分时被选中,进而同时或分时选中相应的不同晶体管,通过相应的端口可以同时或分时进行读取和刷新的存储操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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