[发明专利]三维神经微电极的制作方法有效
| 申请号： | 200710171235.7 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101168435A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 隋晓红;李莹辉;任秋实 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微机电技术领域的三维神经微电极的制作方法，具体如下：以硅片作为衬底，在硅片的正面生长底层SiO2；在底层SiO2上形成金属合金层，并刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；底层SiO2正面生长顶层SiO2，并采用缓冲的HF酸溶液刻蚀顶层SiO2，暴露出压焊点和接触圆点，并采用光刻胶填充压焊点；在接触圆点的硅平面结构正面旋涂SU－8胶，并通过光刻与刻蚀工艺，形成圆柱形孔，用光刻胶填充压焊点；在圆柱形孔中电镀生长金属，形成金属圆柱，采用显影方式去除压焊点中的光刻胶，暴露压焊点；进行清洗得到三维多通道微电极阵列。本发明降低制作成本，提高微电极的高度可控性及各通道一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 神经 微电极 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维神经微电极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，清洗硅片，以硅片作为衬底，采用等离子化学汽相淀积方法在硅片的一面生长底层SiO2；步骤二，在底层SiO2上依次溅射金属钛和金，形成金属合金层，并刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；步骤三，在金属合金层上采用等离子化学汽相淀积方法生长顶层SiO2，顶层SiO2绝缘金属合金层，并采用缓冲的HF酸溶液刻蚀顶层SiO2，暴露出压焊点和接触圆点，并采用光刻胶填充压焊点；步骤四，在接触圆点上旋涂SU-8胶，并通过光刻与刻蚀工艺，形成圆柱形孔，圆柱形孔侧壁为SU-8胶，并采用光刻胶填充压焊点；步骤五，在圆柱形孔中电镀生长金属，最终形成金属圆柱，采用显影方式去除压焊点中的光刻胶，暴露出压焊点；步骤六，对上述步骤得到的电极进行清洗，得到三维神经微电极。
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