[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200710173735.4 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101236953A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李喜峰;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 上海广电光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华 |
| 地址： | 200233上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板在绝缘基板上依次形成有扫描配线导电层、绝缘层、数据导电层、钝化绝缘层及透明导电层，所述扫描配线导电层上形成有扫描配线和共通电极线，所述绝缘层包括栅绝缘膜，所述扫描配线至少部分裸露与之上数据导电层直接电接触；该结构的阵列基板可降低扫描配线的信号延迟，同时在不设置专门的修复线的情况下，可实现扫描配线断线的自修复。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板，在绝缘基板上依次形成有扫描配线导电层、绝缘层、数据导电层、钝化绝缘层及透明导电层，所述扫描配线导电层上形成有扫描配线和共通电极线，所述绝缘层包括栅绝缘膜，其特征在于，所述扫描配线至少部分裸露与之上数据导电层直接电接触。
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