[发明专利]设置有气体墙的蚀刻基板有效
| 申请号： | 200710175205.3 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101399166A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 崔莹石;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种设置有气体墙的蚀刻基板，蚀刻基板设有中部区域和周边区域，蚀刻基板的周边区域设置至少一个通过喷射气体形成气体墙以控制干蚀刻装置内蚀刻气体与蚀刻基板接触密度的喷射装置。本发明蚀刻Al时开启喷射装置形成气体墙、蚀刻其他材料时关闭喷射装置，使得同一个蚀刻基板既可以用来蚀刻Al也可以用来蚀刻其他材料，实现了一种蚀刻基板可以蚀刻多种不同特性的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 设置 气体 蚀刻 | ||
【主权项】：
1、一种设置有气体墙的蚀刻基板，所述蚀刻基板设有中部区域和周边区域，其特征在于：所述蚀刻基板的周边区域设置至少一个通过喷射气体形成气体墙以控制干蚀刻装置内蚀刻气体与蚀刻基板接触密度的喷射装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
