[发明专利]射频微机械串联接触式开关的制作方法

摘要

本发明涉及射频微机械串联接触式开关的制作方法，属于半导体器件及集成电路制作技术领域，该方法包括：以硅片为衬底，并进行清洗；溅射、电镀、淀积、光刻、刻蚀形成共面波导和下电极；旋涂并固化牺牲层，溅射金属，淀积介质；图形化形成带系列小孔的桥膜开关；侧向钻蚀；释放牺牲层。本方法可以避免介质桥膜的应力集中问题，改善开关的机械可靠性，提高开关的成品率和使用寿命；同时，本方法与CMOS工艺兼容，可望得到广泛应用。

主权项

1.一种射频微机械串联接触式开关的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以硅片为衬底，并进行清洗；在硅片正面，通过溅射、电镀、淀积、光刻、刻蚀等表面微机械工艺形成共面波导地线、带凸点的共面波导信号、和表面覆盖绝缘介质层的下电极；(2)在上述绝缘介质层上面旋涂并固化牺牲层后，真空溅射一层金属；(3)直接在金属层上淀积一层介质层，然后图形化介质层和金属层，形成带系列小孔的开关桥膜；(4)在上述图形上旋涂光刻胶4并进行光刻，然后在光刻胶的保护下，用刻金属溶液通过小孔对金属层进行侧向钻蚀，形成中间的接触金属和两侧的上电极，；(5)最后干法释放牺牲层，得到悬浮的开关介质桥结构。