[发明专利]一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法无效
| 申请号： | 200710177368.5 | 申请日： | 2007-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101435109A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 吴以成;张书峰;张尔攀;傅佩珍;陈创天 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B9/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法，其步骤：1)将磷酸硼化合物与助熔剂按比例混合装入铂坩埚，在晶体生长炉中升温至完全熔化；再降温至饱和温度之上2～15℃，得到含磷酸硼和助熔剂的高温熔体；2)把装在籽晶杆上的籽晶放入高温熔体中，恒温10～180分钟后，降温到饱和温度，以10～50转/分钟速率转动籽晶杆；以0.1～2℃/天速率降温，待晶体长大后将晶体提离液面，以20～50℃/小时速率降至室温，得到磷酸硼单晶。该方法使用的助熔剂，可降低高温熔体粘度，利于晶体生长过程中熔质输运，避免晶体中包裹体形成，可稳定生长厘米级尺寸具紫外截止波长短，机械加工性能好，不易碎裂，不吸潮，易保存透明磷酸硼单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 硼单晶 熔剂 生长 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法，其步骤如下：(1)将磷酸硼化合物与助熔剂按比例进行配料，在研钵内研磨均匀，装入铂坩埚并在马弗炉内高温化料，然后将铂坩埚移入晶体生长炉，加热升温至完全熔化，恒温24小时至48小时使高温熔液充分均化，再降温至饱和温度之上2～15℃，得到含磷酸硼和助熔剂的高温熔体；所述助熔剂为Li2O-MoO3复合助熔剂；磷酸硼化合物与复合助熔剂Li2O和MoO3混合的摩尔配比为：磷酸硼：Li2O：MoO3＝1.0:0.2～1.0:0.2～1.5；(2)把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤(1)制备的高温熔体中，恒温10～180分钟后，降温到饱和温度，以10转/分至50转/分的旋转速率转动籽晶杆，然后视晶体生长情况，以0.1～2℃/天的速率降温，待晶体长大后将晶体提离液面，以20℃/小时至50℃/小时的速率降至室温，便可得到磷酸硼单晶。
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