[发明专利]一种制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法

摘要

本发明公开了一种制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法，采用该方法制得的卤氧化铋具有片状结构，在制备过程中不使用强酸，如盐酸，提供卤素源；也不使用强酸和强碱来调控反应液的pH值，本发明中使用的室温离子液体既能提供卤素源又能准确控制反应液的pH值在1～2，提供反应所需条件。通过在卤素阴离子型室温离子液体中水解硝酸铋来制备，调节加入量、反应时间、反应温度可制得片状卤氧化铋。

主权项

1.一种制备层厚均匀化的卤氧化铋的方法，其特征在于有下列制备步骤：第一步：将硝酸铋、含卤素阴离子的室温离子液体和含水介质放入反应容器中制得pH＝1～2的反应液，反应液在温度18℃～100℃条件下，搅拌1～15h后过滤获得粗卤氧化铋产物；用量：1L所述含水介质中添加0.05～2.00mol的硝酸铋，添加0.05～10.0mol的含卤素阴离子的室温离子液体；所述含卤素阴离子的室温离子液体是有机阳离子和卤素阴离子组成的室温离子液体；所述有机阳离子是烷基咪唑阳离子、烷基吡啶阳离子、羧基吡啶阳离子或者氨基酸阳离子；所述卤素阴离子是Cl-或Br-；第二步：将第一步制得的粗卤氧化铋产物放入去离子水中，在温度18℃～25℃条件下，洗涤3～7次后过滤得卤氧化铋产物；第三步：将第二步制得的卤氧化铋产物在温度50℃～80℃条件下干燥20～90min后制得片状卤氧化铋。