[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200710180723.4 | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101162612A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 大关精司 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体存储装置的测试模式中可以测量正确的存取时间。根据时钟信号CLK进行存储器阵列MARY的通常模式时的读出或写入动作，并且根据测试用时钟信号TCLK进行存储器阵列MARY的测试模式时的读出或写入动作，在测试模式时进行来自存储器阵列MARY的多个输出数据DOUT0－255的测试，并输出测试结果TOUT10－17、TOUT2，其中，根据与时钟信号CLK及测试用时钟信号TCLK无关的外部测试信号TACC，在测试模式时实施存取时间所涉及的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，根据第一信号进行存储器阵列的通常模式时的读出或写入动作，并且根据第二信号进行上述存储器阵列的测试模式时的读出或写入动作，在上述测试模式时进行来自上述存储器阵列的多个输出数据的测试，并输出测试结果，其特征在于：根据与上述第一信号及上述第二信号无关的第三信号，在上述测试模式时实施期望的测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710180723.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
