[发明专利]像素阵列结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710180767.7 申请日: 2007-10-12
公开(公告)号: CN101136416A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 蔡东璋;曾贵圣 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种像素阵列结构及其制造方法。其中该像素阵列结构包括多条扫描线、多条数据线以及多个像素结构。扫描线与数据线围出多个像素区。各像素结构电连接所对应的扫描线与数据线。各像素结构位于所对应的像素区内。各像素结构包括有源元件、电连接有源元件的像素电极以及储存电容。储存电容下电极配置于像素区周边并与像素电极部分重叠以构成储存电容。储存电容下电极包括邻近数据线的至少一个第一线段以及邻近扫描线的至少一个第二线段。第一线段与第二线段为不同膜层。第一线段与邻近的其中一条数据线为不同膜层而第二线段与邻近的其中一条扫描线为不同膜层。本发明的像素阵列结构及其制造方法具有较高的合格率。
搜索关键词: 像素 阵列 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种像素阵列结构,包括:多条扫描线;多条数据线,所述多条扫描线与所述多条数据线围出多个像素区;多个像素结构,分别电连接所对应的所述多条扫描线与所述多条数据线,各所述像素结构位于所对应的所述多个像素区内,各所述像素结构包括:有源元件;像素电极,电连接该有源元件;以及储存电容,具有储存电容下电极,配置于该像素区周边并与像素电极部分重叠,该储存电容下电极包括邻近所述多条数据线的至少一个第一线段以及邻近所述多条扫描线的至少一个第二线段,其中该第一线段与该第二线段为不同膜层且该第一线段与邻近的其中该数据线为不同膜层而该第二线段与邻近的其中一条该扫描线为不同膜层。
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