[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710180994.X | 申请日： | 2004-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101136390A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 半治彦士;松井康浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/525;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王小衡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置包括熔片布线(3)、在该熔片布线(3)上介于绝缘膜(8B)的熔断部(1)、连接熔断部(1)和熔片布线(3)的插塞(7)。这里，位于熔断部(1)上的绝缘膜(8)的厚度(T1)小于位于熔片布线(3)上的绝缘膜(8)的厚度(T2)。位于熔片布线(3)上的绝缘膜(8)具有熔片布线(3)不因激光照射而熔断的充分的厚度(T2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：熔片布线；在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部，所述熔片布线和所述熔片部之间的所述绝缘膜包含由高密度等离子体形成的氧化膜。
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