[发明专利]非易失性存储器件及其形成方法

摘要

公开了一种非易失性存储器件及其形成方法。一种存储器件包括具有单元区、低压区以及高压区的衬底。接地选择晶体管、串选择晶体管以及单元晶体管位于单元区中，低压晶体管位于低压区中，以及高压晶体管位于高压区中。公共源极接触件位于接地选择晶体管上，以及低压接触件位于低压晶体管上。位线接触件位于串选择晶体管上，高压接触件位于高压晶体管上，以及位线位于位线接触件上。第一绝缘层位于衬底上，以及第二绝缘层位于第一绝缘层上。公共源极接触件和第一低压接触件延伸到第一绝缘层的高度，以及位线接触件和第一高压接触件延伸到第二绝缘层的高度。

主权项

1.一种在包括单元区、低压区和高压区的衬底上形成非易失性存储器件的方法，所述方法包括：在所述单元区中形成接地选择晶体管、串选择晶体管以及单元晶体管，在所述低压区中形成低压晶体管，以及在所述高压区中形成高压晶体管；在所述接地选择晶体管的杂质区上形成公共源极接触件，以及在所述低压晶体管的杂质区上形成第一低压接触件；在所述串选择晶体管的杂质区上形成位线接触件，以及在所述高压晶体管的杂质区上形成第一高压接触件；以及在所述位线接触件上形成位线。