[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200710182015.4 | 申请日： | 2007-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101165864A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/267 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：半导体基体；异质半导体区域，其由带隙与半导体基体的半导体材料不同的半导体材料制成，并被配置成与半导体基体结合形成异质结；栅极绝缘膜，其被配置成与半导体基体和异质半导体区域之间的异质结接触；栅电极，其被配置成与栅极绝缘膜接触；源电极，其被连接到异质半导体区域；以及漏电极，其被连接到半导体基体。所述制造方法包括：通过使用特定的掩膜材料，以自对齐的方式形成用于源电极的源极接触孔和栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：半导体基体，异质半导体区域，其由带隙与所述半导体基体的半导体材料不同的半导体材料制成，并被配置成与所述半导体基体结合形成异质结，栅极绝缘膜，其被配置成与所述半导体基体和所述异质半导体区域之间的所述异质结接触，栅电极，其被配置成与所述栅极绝缘膜接触，源电极，其被连接到所述异质半导体区域，以及漏电极，其被连接到所述半导体基体，所述制造方法包括：通过使用特定的掩膜材料，以自对齐的方式形成：用于所述源电极的源极接触孔，以及所述栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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