[发明专利]制造半导体器件中定位塞接触的方法无效
| 申请号： | 200710182038.5 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101211823A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李敏硕;李在煐 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件中定位塞接触的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在包括多个图案的半成品衬底上形成蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层上形成绝缘层；平坦化所述绝缘层；使部分平坦化的绝缘层凹陷；在所述凹陷和平坦化的绝缘层上形成硬掩模图案；蚀刻所述凹陷的绝缘层以形成接触孔；蚀刻在所述接触孔的底部上形成的蚀刻阻挡层；以及在接触孔中形成接触塞。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 定位 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在包括多个图案的半成品衬底上形成蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层上形成绝缘层；平坦化所述绝缘层；使部分所述平坦化的绝缘层凹陷；在所述凹陷和平坦化的绝缘层上形成硬掩模图案；蚀刻所述凹陷的绝缘层以形成接触孔；蚀刻在所述接触孔的底部上形成的蚀刻阻挡层；和在所述接触孔中形成塞接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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