[发明专利]电子元件、使用其的半导体器件以及制造电子元件的方法有效
| 申请号： | 200710182106.8 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101136383A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 原田惠充;青柳哲理;浅见博 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子元件、使用其的半导体器件以及制造电子元件的方法。该电子元件具有在该其中形成暴露部分垫电极的开口的钝化层、形成于该垫电极和钝化层之上的下金属层、以及形成于下金属层上的隔离金属层用于外部连接电极，该电子元件还包括配置在开口外部或/和内部的隔离金属层下面的凹槽或/和突起，该下金属层形成在凹槽或/和突起上且具有与凹槽或/和突起相应的表面形状。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 使用 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件，包括：在其中形成有暴露部分垫电极的开口的钝化层；形成在所述垫电极和钝化层上的下金属层；以及形成在所述下金属层上用于外部连接电极的隔离金属层，所述电子元件还包括：配置在所述开口的外部或/和内部的隔离金属层下面的凹槽或/和突起，所述下金属层形成在所述凹槽或/和突起上并具有与所述凹槽或/和突起相一致的表面形状。
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