[发明专利]施加浮动电压于源极或漏极区的操作存储器的装置与方法无效
| 申请号： | 200710185095.9 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101183561A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;H01L27/112 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本文涉及施加浮动电压于源极或漏极区的操作存储器的装置与方法。本发明提供一种操作非易失存储单元、或操作该单元阵列中至少一单元的方法与装置，其中当增加电荷至电荷储存结构时，一源极区域或一漏极区域为浮接。 | ||
| 搜索关键词： | 施加 浮动 电压 漏极区 操作 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作一非易失存储单元的方法，其包含一栅极、一源极区域、一漏极区域、一基材区域、一电荷储存结构、以及一或多个介电区域至少有部分位于所述电荷储存结构与所述栅极之间，且至少有部分位于所述电荷储存结构与所述基材区域之间，包含：对应一指令，以将多个电子移动至所述电荷储存结构中，仅浮接所述源极区域或所述漏极区域之一，同时对未浮接的所述源极区域或所述漏极区域施加一第一电压。
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