[发明专利]显示元件及其制造方法有效
申请号: | 200710186078.7 | 申请日: | 2007-11-15 |
公开(公告)号: | CN101159250A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 林汉涂;陈建宏;詹勋昌 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种显示元件及其制造方法,该方法包括提供基板,该基板具有薄膜晶体管区、像素区、栅极线区与数据线区;依序形成透明导电层与第一金属层于基板上,并对其图案化,以分别于薄膜晶体管区、像素区、栅极线区与数据线区的末端内形成导电叠层;依序形成第一绝缘层与半导体层于基板上并覆盖导电叠层,再对其图案化后于薄膜晶体管区的导电叠层上形成图案化第一绝缘层与图案化半导体层;形成第二金属层于基板上,并覆盖图案化半导体层与导电叠层,并形成第一光致抗蚀剂层于第二金属层上;以第一光致抗蚀剂层为掩模图案化第二金属层与第一金属层,其中在薄膜晶体管区中形成沟道。之后,对第一光致抗蚀剂层进行热回流使部分的第一光致抗蚀剂层保护沟道。 | ||
搜索关键词: | 显示 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示元件的制造方法,包括:提供一基板,该基板具有一薄膜晶体管区、一像素区、一栅极线区与一数据线区;依序形成一透明导电层与一第一金属层于该基板上;图案化该透明导电层与该第一金属层,以分别于该薄膜晶体管区、该像素区、该栅极线区与该数据线区的末端内形成一导电叠层,其中该导电叠层包括该透明导电层与该第一金属层;依序形成一第一绝缘层与一半导体层于该基板上,并覆盖该导电叠层;图案化该第一绝缘层与该半导体层,以于该薄膜晶体管区的该导电叠层上形成一图案化第一绝缘层与一图案化半导体层;形成一第二金属层于该基板上,并覆盖该图案化半导体层与该导电叠层;形成一第一光致抗蚀剂层于该第二金属层上;以该第一光致抗蚀剂层为掩模图案化该第二金属层与该第一金属层,其中在该薄膜晶体管区中形成一沟道;以及对第一光致抗蚀剂层进行热回流,使部分的该第一光致抗蚀剂层保护该沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造