[发明专利]DRAM控制装置以及DRAM控制方法无效

专利信息
申请号: 200710186319.8 申请日: 2004-12-24
公开(公告)号: CN101159129A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 逸见正宪;蔵田和司 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G09G5/393 分类号: G09G5/393;G09G5/36
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种DRAM控制装置以及DRAM控制方法。接口部(20),在帧缓冲区的邻接的绘图块中,分配不同的SDRAM(1、2)。在进行跨越邻接的绘图块的处理时,通过例如对SDRAM(1、2)交互地执行有效命令,减少因执行间隔条件而引起的等待周期。而且,由于对SDRAM(1、2)分别地输出用于停止突发传输的时钟有效信号CKE(1),CKE(2),因此不需要用于停止突发传输的周期。因而,在采用DRAM作为帧缓冲进行图形处理的情况下,减少跨过绘图块处理时的资源消耗,使访问周期数比以往少。
搜索关键词: dram 控制 装置 以及 方法
【主权项】:
1.一种DRAM控制装置,其特征在于,包括:多条信号线,其用于在具有突发式传输功能的多个DRAM之间输入输出包含地址和数据的多个信号;和接口部,其将由2维配置的多个绘图块组成的帧缓冲区分配给上述多个DRAM,根据图形处理,访问上述多个DRAM,上述接口部具有突发传输控制部,该突发传输控制部对于上述多个DRAM分别地输出用于使突发式传输停止的信号。
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