[发明专利]动态半导体存储装置及操作该装置的方法

摘要

本发明的目的是提供DRAM，其中可以增大传感放大器的操作速度。排列位线预充电电路PCt和PCb以将位线BLt和/BLt预充电至地电压GND，并且排列参考字线RWLo和RWLe以及参考存储单元RMC，以便当激活字线WL时，在位线BLt和/BLt之间总是产生电势差。N型传感放大器NSAt的晶体管N10和N11的源极直接与接地端子GND连接，而P型传感放大器PSA的晶体管P2和P3的源极直接与电源VDD连接。晶体管N10和N11的栅极与位线/BLt和BLt连接，而漏极分别与位线BLt和/BLt连接。安排转换字线SWL和转换存储单元SMC，以便N型传感放大器NSAt可以放大位线BLt和/BLt之间的电势差。

主权项

1.一种动态半导体存储装置，包括：第一位线；第二位线，与该第一位线成对排列；字线，与该第一和第二位线交叉；存储单元，与该第一位线和该字线连接；参考字线，与该第一和第二位线交叉；参考存储单元，与该第二位线和该参考字线连接；用于激活该字线的装置；位线预充电装置，用于在激活该字线之前，预充电该第一和第二位线至地电压或电源电压；用于当激活该字线时激活该参考字线的装置；参考电压预充电装置，用于在激活该参考字线之前，预充电该参考存储单元至参考电压；电平转换装置，用于当激活字线时，转换该第一和第二位线的电压电平；第一共享线；第二共享线，与该第一共享线成对排列；第一隔离器，连接在该第一和第二位线以及该第一和第二共享线之间；第一传导型的传感放大器，连接在该第一和第二共享线之间；以及第二传导型的第一传感放大器，其中该第二传导型的第一传感放大器包括：第二传导型的第一场效应晶体管，具有与该第二位线连接的栅极，和与该第一共享线或该第一位线连接的漏极，以及第二传导型的第二场效应晶体管，具有与该第一位线连接的栅极，和与该第二共享线或该第二位线连接的漏极。