[发明专利]真空处理装置有效
| 申请号： | 200710188367.0 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101192511A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 车勋;金亨俊;严用铎;李珠熙;韩在柄;曹生贤;尹大根 | 申请（专利权）人： | IPS有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/44;C23C14/56;C23F4/00;H01J37/32;B01J3/03 |
| 代理公司： | 北京中安信知识产权代理事务所 | 代理人： | 张小娟;徐林 |
| 地址： | 韩国京*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本文公开了一种真空处理装置，其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理，例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃上，半导体晶片上，等等，其包括一上盖和一下盖，该上盖和下盖可分离地相互连接形成一真空处理空间；一对下部水平移动单元，该下部水平移动单元分别安装在下盖的各侧；一对上部水平移动单元，该各上部水平移动单元在各自的下部移动单元上可旋转地和上盖连接，以水平方向移动上盖使其从下盖分离；升降单元通过下部水平移动单元支撑并安装在其上，升降单元从下盖分离上盖或通过提升或降低上部水平移动单元使上盖和下盖连接。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一真空处理装置，其包括：一上盖和一下盖，该上盖和下盖可分离地相互连接，形成真空处理空间；一对下部水平移动单元，分别安装在下盖相对侧；一对上部水平移动单元，各个上部水平移动单元在各个下部移动单元上可旋转的和上盖连接，并以水平方向移动上盖从下盖分离；以及一升降单元通过下部水平移动单元支撑并安装到其上，该升降单元从下盖分离上盖或通过提升或降低上部水平移动单元使上盖和下盖连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
