[发明专利]二次插层有机膨润土的制备方法无效
| 申请号： | 200710188484.7 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101264894A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 冯辉霞;张国宏;王毅;邵亮;赵阳 | 申请（专利权）人： | 兰州理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/40 | 分类号： | C01B33/40;C01B33/44 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 730050*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 二次插层有机膨润土的制备方法，其特征在于首先将钠基膨润土进行一次过渡金属离子化，形成一次过渡金属离子插层，然后进行二次有机化，形成二次有机插层。通过阳离子交换引入过渡金属离子，有机大分子以配位键与金属离子结合，从而增大膨润土的片层间距。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 有机 膨润土 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、二次插层有机膨润土的制备方法，其特征在于首先将钠基膨润土进行一次过渡金属离子化，形成一次过渡金属离子插层，然后进行二次有机化，形成二次有机插层。
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