[发明专利]一种含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法

摘要

一种含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法，其包括以下步骤：(1)将主链含硅的低分子量聚合物置于三口烧瓶中，并加入0.5wt％－20wt％的钽金属有机化合物或氯化物；(2)在Ar或N₂或它们的混合物保护下，三口烧瓶升至350－500℃，裂解柱温度控制在450℃－550℃，进行热分解重排反应0.5－25h，冷却；(3)将所得粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在250℃－390℃进行减压蒸馏，冷却。本发明原料来源广泛，反应过程易于控制，设备简单，产物纯度高，再成型性好，耐超高温及吸波性能优异；用以制得的陶瓷纤维抗氧化性能优异；容易实现大规模工业化生产。

主权项

1.一种含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将软化点为80℃-450℃主链含硅的低分子量聚合物置于三口烧瓶中，并加入相当于低分子量聚合物质量0.5wt％-20wt％的钽金属有机化合物或氯化物；(2)利用本发明者研制的常压高温裂解装置，在Ar或N2或它们的混合物保护下，按照0.1℃-5℃/min升温速率，三口烧瓶升至350℃-500℃，裂解柱温度控制在450℃-550℃，进行热分解重排反应，反应时间0.5h-25h，冷却后得PTCS粗产品；(3)将该粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在250℃-390℃进行减压蒸馏，冷却后即得黑色树脂状状PTCS。