[发明专利]半导体电路后段工艺系统与方法无效
| 申请号： | 200710192773.4 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101188211A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 骆统;黄启东;陈光钊;姜琼华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种在半导体后段工艺中形成过孔的方法，包括沉积图案化过孔内部的第一金属粘着层的一部分，接着冷却步骤。在所述冷却步骤之后，再形成第一金属粘着层的剩余部分，并形成所述图案化过孔内部的第二金属粘着层。形成所述第一金属粘着层的剩余部分的工艺可参考芯片负载－去负载－负载(load，unload，load LUL)工艺。经由使用负载－去负载－负载(LUL)工艺，工艺中芯片温度可降低，并降低在过孔界面的铝突出现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电路 后段 工艺 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体后段工艺中形成半导体晶圆的过孔的方法，包括：图案化过孔，用以形成所述过孔；在所述图案化的过孔内形成第一金属粘着层的一部分；冷却所述晶圆；在所述图案化的过孔内形成所述第一金属粘着层的剩余部分；以及在所述图案化的过孔内的所述第一金属粘着层上形成第二金属粘着层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
