[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710193327.5 | 申请日： | 2007-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101192583A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 阪本达哉 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体芯片，其具有在规定位置处配置有外部连接用电极的层间膜；再配线，其与所述电极导通，且设置在所述层间膜上；绝缘层，其覆盖所述再配线；焊盘，其经由在所述绝缘层上形成的开口，与所述再配线导通；焊料端子，其设置在所述焊盘上。在所述绝缘层上设置感光性树脂膜，利用所述感光性树脂膜覆盖所述层间膜的外周缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片，其具有在规定位置处配置有外部连接用电极的层间膜；再配线，其与所述电极导通，且设置在所述层间膜上；绝缘层，其覆盖所述再配线；突起，其经由在所述绝缘层上形成的开口，与所述再配线导通；焊料端子，其设置在所述突起上，在所述绝缘层上设置感光性树脂膜，利用所述感光性树脂膜覆盖所述层间膜的外周缘。
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