[发明专利]动态随机存取存储器元件

摘要

一种动态随机存取存储器周边电路的晶体管元件，包括有一半导体基底，其上形成有一栅极沟渠；一凹入式栅极，嵌入于该栅极沟渠中；一源极掺杂区，设于该凹入式栅极一侧的该半导体基底中；一漏极掺杂区，设于该凹入式栅极另一侧的该半导体基底中；及一栅极氧化层，介于该凹入式栅极与该半导体基底之间，该栅极氧化层具有至少两种不同的厚度，呈现出一种独特的不对称结构，其中厚度较厚的该栅极氧化层位于该凹入式栅极与该漏极掺杂区之间，而厚度较薄的该栅极氧化层则是位于该凹入式栅极与该源极掺杂区之间。

主权项

1. 一种动态随机存取存储器元件，包括有：半导体基底，该半导体基底包括有存储器阵列区域和周边电路区域，该存储器阵列区域设有第一凹入式栅极而该周边电路区域设有第二凹入式栅极，其中该第一凹入式栅极和该第二凹入式栅极皆嵌入于该半导体基底中；第一栅极氧化层，介于该第一凹入式栅极和该半导体基底之间，该第一栅极氧化层具有均匀厚度；以及第二栅极氧化层，介于该第二凹入式栅极和该半导体基底之间，该第二栅极氧化层具有非均匀厚度。