[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 200710193628.8 | 申请日: | 2007-11-23 |
公开(公告)号: | CN101442056A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 郭建忠;王一晋;邓志容 | 申请(专利权)人: | 胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种像素阵列基板,包括基材、像素阵列及数个储存电容。基材具有显示区。像素阵列由绝缘层分隔的数条平行的扫描线及数条平行的数据线交错形成于显示区中。此些储存电容分别设置于像素阵列中。各储存电容包括共同电极线及导电层。共同电极线设置于基材上。导电层设置于共同电极线之上并与共同电极线以绝缘层分隔。其中,位于各扫描线及各数据线之间的绝缘层厚度大于各储存电容的绝缘层厚度。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
【主权项】:
1. 一种像素阵列基板,包括:基材,具有显示区;像素阵列,由绝缘层分隔的多条平行的扫描线及多条平行的数据线交错形成于该显示区中;以及多个储存电容,分别设置于该像素阵列中,各这些储存电容包括:一共同电极线,设置于该基材上;及一导电层,设置于该共同电极线之上,并与该共同电极线以该绝缘层分隔;其中,位于各这些扫描线及各这些数据线之间的该绝缘层厚度大于各这些储存电容的该绝缘层厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的