[发明专利]用于制造硅半导体晶片的方法及装置无效
| 申请号： | 200710193660.6 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101240444A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | M·韦伯;H·施密特;W·v·阿蒙 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括从坩埚中所含的熔体拉伸单晶并由该拉伸的单晶切割半导体晶片，在拉伸所述单晶期间在与所述熔体的边界处将热量导入生长的单晶的中心，并对该熔体施加CUSP磁场，从而使该CUSP磁场的中性面与所述单晶的拉伸轴相交于与所述熔体表面的距离至少为50毫米处。本发明还涉及用于实施该方法的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、用于制造硅半导体晶片的方法，其包括从坩埚中所含的熔体拉伸单晶并由该拉伸的单晶切割半导体晶片，在拉伸所述单晶期间在与所述熔体的边界处将热量导入生长的单晶的中心，并对该熔体施加CUSP磁场，从而使该CUSP磁场的中性面与所述单晶的拉伸轴相交于与所述熔体表面的距离至少为50毫米处。
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