[发明专利]荧光体、其制备方法和发光装置有效

专利信息
申请号: 200710193676.7 申请日: 2007-11-23
公开(公告)号: CN101186820A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 增田昌嗣;寺岛贤二 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供荧光体以及制备这种荧光体的方法,所述荧光体是基本上由通式(A):EuaSibAlcOdNe表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体、基本上由通式(B):MIfEugSihAlkOmNn表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体或基-本上由通式(C):(MII1-pEup)MIIISiN3表示的二价铕-活化的氮化物荧光体,并且光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95%以上;提供氮化物荧光体和氧氮化物荧光体和制备这样的荧光体的方法,使用这样的荧光体的发光装置,通过来自半导体发光器件的波长在430至480nm的光,它们有效率并且稳定地发光;以及,提供具有稳定特性并且实现高效率的发光装置。
搜索关键词: 荧光 制备 方法 发光 装置
【主权项】:
1.一种荧光体,其由下列通式(A)至(C)中任一种表示,其中光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95%以上:二价铕-活化的氧氮化物荧光体,它是基本上由通式(A):EuaSibAlcOdNe表示的β-型SiAlON(在通式(A)中,满足0.005≤a≤0.4,b+c=12和d+e=16);二价铕-活化的氧氮化物荧光体,它是基本上由通式(B):MIfEugSihAlkOmNn表示的α-型SiAlON(在通式(B)中,MI表示选自Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素,并且满足0<f≤3.0,0.005≤g≤0.4,h+k=12和m+n=16);或二价铕-活化的氮化物荧光体,它基本上由通式(C):(MII1-pEup)MIIISiN3表示(在通式(C)中,MII是碱土金属元素并且表示选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素,而MIII包含三价金属元素,并且表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd和Lu中的至少一种元素,并且满足0.001≤p≤0.05)。
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