[发明专利]荧光体、其制备方法和发光装置有效
申请号: | 200710193676.7 | 申请日: | 2007-11-23 |
公开(公告)号: | CN101186820A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 增田昌嗣;寺岛贤二 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供荧光体以及制备这种荧光体的方法,所述荧光体是基本上由通式(A):EuaSibAlcOdNe表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体、基本上由通式(B):MIfEugSihAlkOmNn表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体或基-本上由通式(C):(MII1-pEup)MIIISiN3表示的二价铕-活化的氮化物荧光体,并且光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95%以上;提供氮化物荧光体和氧氮化物荧光体和制备这样的荧光体的方法,使用这样的荧光体的发光装置,通过来自半导体发光器件的波长在430至480nm的光,它们有效率并且稳定地发光;以及,提供具有稳定特性并且实现高效率的发光装置。 | ||
搜索关键词: | 荧光 制备 方法 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种荧光体,其由下列通式(A)至(C)中任一种表示,其中光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95%以上:二价铕-活化的氧氮化物荧光体,它是基本上由通式(A):EuaSibAlcOdNe表示的β-型SiAlON(在通式(A)中,满足0.005≤a≤0.4,b+c=12和d+e=16);二价铕-活化的氧氮化物荧光体,它是基本上由通式(B):MIfEugSihAlkOmNn表示的α-型SiAlON(在通式(B)中,MI表示选自Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素,并且满足0<f≤3.0,0.005≤g≤0.4,h+k=12和m+n=16);或二价铕-活化的氮化物荧光体,它基本上由通式(C):(MII1-pEup)MIIISiN3表示(在通式(C)中,MII是碱土金属元素并且表示选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素,而MIII包含三价金属元素,并且表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd和Lu中的至少一种元素,并且满足0.001≤p≤0.05)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710193676.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:铜铝塑铝复合板
- 下一篇:带杂物收集袋的洗碗洗菜盆