[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710194140.7 | 申请日： | 2001-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101174633A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 西田彰男;吉田安子;池田修二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动MISFET和一对负载MISFET的一对反相器和一对传输MISFET，所述一对驱动MISFET的栅极和漏极分别彼此交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：在所述驱动MISFET上方形成的夹层绝缘薄膜；连接所述栅极和漏极并在从所述栅极延伸到所述漏极的连接孔内形成的第一导电层；在所述第一导电层上方形成的下电极；在所述下电极上方形成的电容绝缘薄膜；在所述电容绝缘薄膜上方形成的上电极；以及与所述负载MISFET的源极电连接并在其侧壁与所述上电极连接的第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个所述存储单元具有包括一对驱动MISFET和一对负载MISFET的一对反相器和一对传输MISFET，所述一对驱动MISFET的栅极和漏极分别彼此交叉连接，所述半导体集成电路器件包括：在所述驱动MISFET上方形成的夹层绝缘薄膜；连接所述栅极和漏极并在从所述栅极延伸到所述漏极的连接孔内形成的第一导电层；在所述第一导电层上方形成的下电极；在所述下电极上方形成的电容绝缘薄膜；在所述电容绝缘薄膜上方形成的上电极；以及与所述负载MISFET的源极电连接并在其侧壁与所述上电极连接的第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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