[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底；形成“N”型金属氧化物半导体装置于半导体基底的表面上，此步骤包括形成第一源极/漏极电极于“N”型金属氧化物半导体装置的第一源极/漏极区上；形成“P”型金属氧化物半导体装置于半导体基底的表面上，其步骤包括形成第二源极/漏极电极该“P”型金属氧化物半导体装置的第二源极/漏极区上；形成具有第一固有应力的第一应力薄膜，于“N”型金属氧化物半导体装置上；以及形成具有第二固有应力的第二应力薄膜，于“P”型金属氧化物半导体装置上。因此，形成应力沟道区的作用，在小尺寸集成电路中变得更加显著。所以可使得栅极长度小于65纳米的金属氧化物半导体装置仍具有良好的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底；形成“N”型金属氧化物半导体装置于该半导体基底的表面上，该步骤包括形成第一源极/漏极电极于该“N” 型金属氧化物半导体装置的第一源极/漏极区上，其中该第一源极/漏极电极具有第一势垒高度；形成“p”型金属氧化物半导体装置于该半导体基底的该表面上，其步骤包括形成第二源极/漏极电极于该“P”型金属氧化物半导体装置的第二源极/漏极区上，其中该第二源极/漏极电极具有第二势垒高度，且其中该第一势垒高度与该第二势垒高度不同；形成具有第一固有应力的第一应力薄膜，于该“N”型金属氧化物半导体装置上；以及形成具有第二固有应力的第二应力薄膜，于该“P”型金属氧化物半导体装置上，其中该第一固有应力具有较大于该第二固有应力的拉伸力。