[发明专利]使用间隔物作为蚀刻掩模制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710196253.0 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101335181A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 丁彩吾;李钟旼;金赞培;安贤珠 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用间隔物作为用于形成微细图案的蚀刻掩模的制造半导体器件的工艺。该工艺包括在要被蚀刻的目标层上方形成硬质掩模层。随后在硬质掩模层上方形成牺牲层图案。间隔物形成在牺牲层图案的侧壁上。保护层形成在形成有间隔物的牺牲层图案之间的硬质掩模层的部分上。之后移除牺牲层图案和保护层。使用间隔物作为蚀刻掩模，蚀刻硬质掩模层。蚀刻之后，移除间隔物。最后，使用蚀刻的硬质掩模层作为蚀刻，掩模蚀刻目标层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 间隔 作为 蚀刻 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在要被蚀刻的目标层上形成硬质掩模层；在所述硬质掩模层上方形成牺牲层图案；在所述牺牲层图案的侧壁上形成间隔物；在形成有所述间隔物的所述牺牲层图案之间的所述硬质掩模层的部分上形成保护层；移除所述牺牲层图案，存留所述间隔物；移除所述保护层；使用所述间隔物作为蚀刻掩模，蚀刻所述硬质掩模层；移除所述间隔物；以及使用所述蚀刻的硬质掩模层作为蚀刻掩模，蚀刻所述目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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